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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAN222M
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (VMD3)
2) High reliability.
?Construction
?Structure
Silicon epitaxial planar
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Pd mW150
Tj °C150
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Reverse recovery time
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Storage temperature
Power dissipation
Junction temperature
Average rectified forward current (Single)
Surge current (t=1us)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward voltage (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
VMD3
ROHM : VMD3
dot (year week factory)
0.45
0.4
1.15
0.4
0.8
0.45
0.5
1.2±0.1
0.8±0.1
0.5±0.05
0.13±0.05
0.22±0.05
(3)
1.2±0.1
0.4
0.4
(1) (2)
0.22±0.05
0.32±0.05
0～0.1
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